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論文

照射された低放射化フェライト鋼の引張強度特性-硬さの相関

安堂 正己; 若井 栄一; 谷川 博康; 川崎 泰

日本金属学会誌, 72(10), p.785 - 788, 2008/10

 被引用回数:1 パーセンタイル:12.99(Metallurgy & Metallurgical Engineering)

低放射化フェライト鋼F82H鋼は、核融合炉第一壁・ブランケット構造材料の第一候補材として開発が進められており、そのうち照射特性評価については、現在米国HFIR炉を用いた日米協力照射実験にて、重照射データの取得が行われているところである。取得されたデータの信頼性を高めるため、硬さ試験による破壊試験片ごとの照射挙動の確認や、イオン照射実験から得られる硬化挙動・ミクロ組織変化評価からの補間が必要となる。本報告では、これまでにF82H鋼を中心として実施したイオン照射材からの照射硬化挙動,HFIRやJMTR炉による引張試験・ビッカース硬さ試験の結果から、これらの相関関係について明らかにすることを目的とする。微小硬さ(H)-ビッカース硬さ(Hv)の対応については、熱処理条件を変化させたF82H鋼により相関関係が得られており、この結果より異なる照射場での硬さ変化の比較がある程度可能となった。また、引張特性については中性子照射材の結果より、引張強さ(UTS)はUTS=(3$$pm$$0.2)$$times$$Hvとして得られることが確認された。これらの結果より強度変化に対する照射量依存性,熱処理効果,ヘリウム効果等について評価した結果について報告する。

口頭

高Crフェライト系耐熱鋼のクリープ強度と$$Omega$$値の関係

光原 昌寿*; 池田 賢一*; 波多 聰*; 中島 英治*; 若井 隆純

no journal, , 

クリープ強度の異なる高Crフェライト系耐熱鋼を用いて、$$Omega$$法によるクリープ曲線解析を行い、それぞれの鋼のクリープ強度と$$Omega$$値の関係について考察した。その結果、$$Omega$$法によるクリープ曲線解析の有効性が確認された。

口頭

マルテンサイト系酸化物分散強化型鋼のナノメゾスケール微細組織構造の解明

Kim, S.-W.; 大塚 智史; 皆藤 威二; 井上 賢紀

no journal, , 

9Cr-2W-0.2Ti-Y203の基本成分からなるマルテンサイト系酸化物分散強化型鋼(9Cr-ODS鋼)は優れた高温強度特性を有し、ナノメートルサイズの酸化物粒子による分散強化機構、Cr, W, Ti等の合金元素の影響が注目されてきた。特に、過剰酸素と呼ばれる微量酸素の混入が高温強度特性に大きく影響する。9Cr-ODS鋼は焼き戻しマルテンサイト相(M相)とフェライト相($$delta$$相)が複合した組織構造からなり、高温強度特性に大きく影響していることが理解されつつあるが、その詳細な微細組織構造の把握は十分ではない現状である。そこで、本発表では9Cr-ODS鋼の酸化物分散粒子の分布形態及びM相と$$delta$$相の存在形態を結晶粒形態と化学組成の観点から明らかにすることを目的とし、対象試料における酸化物粒子分布,M相と$$delta$$相の存在形態等の詳細観察結果を報告する。

口頭

SUS304鋼における強磁性相生成に寄与するクリープひずみエネルギーの評価

塚田 祐貴*; 白木 厚寛*; 村田 純教*; 森永 正彦*; 高屋 茂; 小山 敏幸*

no journal, , 

SUS304鋼では、クリープ試験後の試料に強磁性相が確認されている。M$$_{23}$$C$$_6$$炭化物周辺に高密度で転位が集積していることが実験により確認されていることから、本研究では、マイクロメカニクスに基づき、M$$_{23}$$C$$_6$$炭化物周辺に蓄積されるひずみエネルギーを評価した。その結果、強磁性相の生成はM$$_{23}$$C$$_6$$炭化物周辺に集積した転位自身のひずみエネルギーに起因することがわかった。

口頭

粒界凝集エネルギー(2$$gamma$$)の第一原理計算

山口 正剛

no journal, , 

計算機と計算コード双方の進歩により、粒界凝集エネルギー(2$$gamma$$)を第一原理から計算することが可能となってきた。発表者はVASPコードを用いて、ボロン,カーボン,リン,硫黄がもたらすbcc鉄$$Sigma$$3(111)対応粒界の2$$gamma$$の変化を計算した。その結果、2$$gamma$$の変化が実験で観測される延性脆性遷移温度の変化と非常によく相関していることを見いだした。これによって、2$$gamma$$が粒界脆化のキーパラメータとなっていることが明らかとなった。この成果により粒界脆化に対する理解がより深まるものと考える。

口頭

9Cr-ODSフェライト鋼における超微細結晶粒形成

近田 伸芳*; 林 重成*; 鵜飼 重治*; 大貫 惣明*; 大塚 智史; 皆藤 威二

no journal, , 

9Cr-ODSフェライト鋼について、ナノインデンテーターによる硬さ測定とTEMによる微細組織解析を行い、本鋼の焼戻し軟化抵抗の増大は残留$$alpha$$相に形成されている超微細結晶粒に起因することを明らかにした。

口頭

ODSフェライト鋼における冷間圧延-再結晶による集合組織形成

沼田 博哉*; 林 重成*; 鵜飼 重治*; 大塚 智史; 皆藤 威二

no journal, , 

12Cr-ODSフェライト鋼では、冷間圧延により圧延面と圧延方向が{115}$$sim$${111}$$<$$110$$>$$にそろった$$alpha$$ファイバー集合組織が形成される。これを焼鈍すると1100$$^{circ}$$Cにおいて{111}$$<$$110$$>$$にそろった再結晶集合組織が形成される。

口頭

超重力場処理によるIn-Pb合金中の同位体変動

小野 正雄; 井口 裕介*; 岡安 悟; 江坂 文孝; 小林 桂*; Hao, T.; Bagum, R.*; 大澤 崇人; 藤井 貴美夫; 中村 栄三*; et al.

no journal, , 

原子スケールで連続的に組成が傾斜した傾斜構造を持つ超重力場実験後のIn-Pb合金(出発状態: In:Pb=80:20at%、実験条件: 81万G, 100時間,150$$^{circ}$$C(固体状態))について同位体存在比の変動を調べた。分析には二次イオン質量分析器(SIMS)を用いた。構成元素であるPbの場合、同位体存在比$$^{208}$$Pb/$$^{206}$$Pbが重力方向に連続的に1.2%増加する傾向を示していた。また、Inについても同様に同位体存在比$$^{115}$$In/$$^{113}$$Inが重力方向に連続的に約1.2%増加する傾向を示していた。同位体変動は1.2%程度と小さいものの、出発試料中の同位体存在比が$$^{208}$$Pb/$$^{206}$$Pbで0.1%, $$^{115}$$In/$$^{113}$$Inで0.2%以内の変動に収まっていることから、超重力場下の合金(固相)中の原子の沈降に伴い質量依存性のある同位体の変動が起こったことが確認された。詳しくは大会にて発表する。

口頭

C60-Co薄膜のトンネル磁気抵抗効果の組成依存性

境 誠司; 菅井 勇; 松本 吉弘; 三谷 誠司*; 高梨 弘毅; 楢本 洋*; Avramov, P.; 岡安 悟; 前田 佳均

no journal, , 

これまでの研究で同時蒸着法C60-Co薄膜の磁気抵抗率が電圧とともに指数関数的に減少,増大する特異な振る舞いを見いだした。本研究では、薄膜中のCo濃度による磁気伝導特性の変化と微視的構造の対応から磁気抵抗効果の原因機構を議論する。Co濃度がx=8-17(C60Cox)の範囲で、グラニュラー薄膜で完全スピン分極の条件で生じ得る磁気抵抗率の上限(50%)を超える磁気抵抗効果が観測された。同組成領域でゼロ電圧付近の磁気抵抗率はxの減少とともに増大し、x=8の試料で極限値100%付近に達することが示された。巨大効果の原因として、Coナノ粒子/C60-Co化合物界面での著しいスピン偏極に加えて、磁気抵抗率の電圧依存性と関連する増長機構の関与が推察される。

口頭

多結晶酸化タングステン膜の作製及び水素による着色

井上 愛知; 山本 春也; 且井 宏和*; 永田 晋二*; 吉川 正人; 四竈 樹男*

no journal, , 

多結晶WO$$_{3}$$膜中への水素浸入による着色に伴う、結晶構造変化をX線回折法により調べた。着色を示す多結晶WO$$_{3}$$膜を作製するため、金属タングステンを大気中で熱酸化させてSiO$$_{2}$$ガラス基板上にバッファ層を形成させた後、その上に約700nmの柱状構造のWO$$_{3}$$膜を形成させた。バッファ層の厚さを5$$sim$$10nm、熱酸化温度を500$$^{circ}$$C以上に制御すると、単斜晶WO$$_{3}$$の(002), (020), (200)に由来する3つのX線回折ピークがほぼ同等の強度で観測できる多結晶WO$$_{3}$$膜が得られた。この膜表面に、水素解離触媒であるパラジウムを15nm堆積させ、水素に曝露して着色させると、単斜晶のピークが消失し、正方晶系のタングステンブロンズ(H$$_{0.23}$$WO$$_{3}$$, JCPDS card No. 42-1261)に由来するX線回折ピークへと変化した。このことから多結晶WO$$_{3}$$膜内に水素原子が侵入してタングステンブロンズが形成されたときのタングステン原子価数の変化が着色メカニズムの主原因であると示唆された。

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